Parametrii de bază: timpul de înregistrare şi de regenerare a hologramelor nu mai mult de 3 secunde, fotosensibilitatea purtătorilor fototermoplastici este de ordinul 106 cm2/J, capacitatea de rezoluţie până la 2000 mm-1. La exploatarea dispozitivului se utilizează purtătorii fototermoplastici pe suport elastic cu lungimea nu mai mică de 30 metri ce permite înregistrarea în regim continuu a 300 imagini fără a schimba caseta. Dispozitivul permite înregistrarea hologramelor a microobiectelor atât staţionare, cât şi mobile.
A fost elaborată tehnologia de obţinere a suporturilor de n-ZnSe:Al uniform dopate cu parametrii electrici controlabili, variabili într-un diapazon larg de valori, cu scopul utilizării lor în calitate de filtre optice, elemente structurale ale convertoarelor de energie solară, LED şi laseri pe corp solid, la fel şi pentru utilizarea ca bază pentru diferite structuri poroase nanotubulare, utilizate la producerea nanomatricilor diferitor materiale nanocompozite, lentilelor plate şi elementelor circuitelor optice integrate complexe.
Procedeul de creştere a straturilor epitaxiale a compuşilor A3B5 (de exemplu GaAs) se desfăşoară într-un reactor orizontal cu echicurent (H2(g), AsCl3(l)) utilizînd substrate de GaAs cu orientarea cristalografică (100) şi dezorientarea de (3-5)º spre direcţia (110).
Cristalele de ZnSe propuse pe piaţa europeană sunt caracterizate de densitate mare a defectelor structurale şi conductibilitate joasă (aproximativ 10-2 (Ω×cm)-1), ce face imposibilă confecţionarea în baza lor a suporturilor pentru dispozitive fotogene şi matrici multifuncţionale pentru materia
Modulul fotovoltaic constă din nouă celule solare cu aria activă de 3 cm2. În calitate de contact ohmic la stratul de CdTe s-a folosit structura din două straturi Sb2Tе3/Ni, care mărise factorul de umplere de la 0,35 pînă la 0,57. Randamentul elementelor componente ale modului fotovoltaic CdS-CdTe are valoarea 10,3-10,8%.
Sitemap
Trimite unui prieten
Printare
(aproximativ 10-2 (Ω×cm)-1), ce face imposibilă confecţionarea în baza lor a suporturilor pentru dispozitive fotogene şi matrici multifuncţionale pentru materia
structura din două straturi Sb2Tе3/Ni, care mărise factorul de umplere de la 0,35 pînă la 0,57. Randamentul elementelor componente ale modului fotovoltaic CdS-CdTe are valoarea 10,3-10,8%.